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      基于C-MOSI的紅外輻射源,TO46型

      簡要描述:基于C-MOSI的紅外輻射源,TO46型:JSIR340-4型經濟實惠的紅外輻射源專為NDIR氣體分析和其他紅外測量應用而優化,如直接紅外光譜法、衰減全反射光譜法或光聲光譜法。基于CMOS的紅外輻射源的膜片可達到高達800°C的溫度。它能夠為工業應用提供長期穩定的輻射輸出,用于在環境溫度為-20至85°C之間控制和監測過程氣體。

      • 產品品牌:Micro-Hybrid
      • 廠商性質:經銷商
      • 更新時間:2025-11-04
      • 訪  問  量:1432

      詳細介紹

      品牌Micro-Hybrid應用領域綜合

      基于C-MOSI的紅外輻射源,TO46型 

      描述

      JSIR340-4型經濟實惠的紅外輻射源專為NDIR氣體分析和其他紅外測量應用而優化,如直接紅外光譜法、衰減全反射光譜法或光聲光譜法。基于CMOS的紅外輻射源的膜片可達到高達800°C的溫度。它能夠為工業應用提供長期穩定的輻射輸出,用于在環境溫度為-20至85°C之間控制和監測過程氣體。

      硅濾波器優化了從紫外到15.5微米波長范圍內的輻射輸出。

      作為SMD封裝,JSIR340特別適合自動拾放裝配和大批量生產。

      我們紅外輻射源中使用的MEMS芯片包含一個多層熱板膜片,內含一個高溫穩定的金屬CMOSI層。發射器芯片的有效面積為2.2 x 2.2平方毫米,基于硅襯底并采用背刻蝕膜技術。所有薄膜工藝均采用標準MEMS工藝和CMOS兼容材料完成。活性C-MOSI電阻層免受老化和環境影響。

      應用

      l非色散紅外氣體檢測

      l衰減全反射光譜法

      l直接紅外光譜法

      l光聲光譜法

      目標氣體

      l二氧化碳(CO2)

      l甲烷(CH4)

      l丙烷(C3H8)

      l乙醇(C2H5OH)

      l其他紅外活性氣體

      特點

      l成本效益高的組件

      l標準MEMS技術

      lCMOS兼容制造工藝

      l有效的自動化裝配工藝,采用SMD封裝

      l熱板溫度高達740°C

      l適當的輻射輸出

      l由于熱質量低,調制深度高

      技術參數

      技術參數

      TO39 open

      SMD Si ARC

      單位

      光譜輸出范圍

      2 ... 15

      2 ... 15

      μm

      有效面積

      2.2 x 2.2

      2.2 x 2.2

      mm2

      耐熱1

      19 ± 5

      17 ± 5

      Ω

      溫度系數2

      typ. 1 200

      typ. 1 000

      ppm/K

      時間常數0-63%

      typ. 13

      typ. 11.5

      ms

      標稱功耗3

      650

      650

      mW

      工作電壓4

      typ. 3.5

      typ. 3.3

      V

      工作電流4

      typ. 180

      typ. 200

      mA

      推薦驅動模式

      Power mode

      Power mode

      活動區域溫度1,5,6

      600 ± 30

      500 ± 30

      °C

      窗口

      open

      Si ARC

      外殼

      TO39

      SMD

      預計使用壽命7,8

      > 5 000 h at 740 °C

      > 100 000 h at 600 °C

      > 5 000 h at 640 °C

      > 100 000 h at 500 °C

      絕對最大額定值

      輸入功率3,5

      1 000

      1 000

      mW

      外殼溫度8

      200

      200

      °C

      活動區域溫度

      740

      640

      °C

      1. 額定功率下的單位

      2. 25°C - 700°C

      3. 功率開啟狀態

      4. 帶有25Ω熱電阻

      5. 環境溫度為25°C時

      6. 通過紅外相機(0.7-1.1μm)測量的熱點溫度降低10%后的溫度分布平均值

      7. 連續模式下,平均排除故障時間(MTTF)為63%(膜斷裂,基于阿倫尼烏斯定律的計算值)

      8. 包括環境溫度

      典型操作特性

      基于C-MOSI的紅外輻射源,TO46型 

      基于C-MOSI的紅外輻射源,TO46型 

      基于C-MOSI的紅外輻射源,TO46型 

      基于C-MOSI的紅外輻射源,TO46型 

      電氣示意圖

      基于C-MOSI的紅外輻射源,TO46型 

      電路

      等效電路圖

      基于C-MOSI的紅外輻射源,TO46型 

      機械制圖

      TO39底部

      基于C-MOSI的紅外輻射源,TO46型 

      SMD底部

      基于C-MOSI的紅外輻射源,TO46型 

      截面圖-TO39 reflector open

      基于C-MOSI的紅外輻射源,TO46型 

      截面圖-SMD with filter

      基于C-MOSI的紅外輻射源,TO46型 

      產品概述

      型號

      類型

      填充氣體

      低溫度

      最高溫度

      光圈

      窗口

      JSIR340-4-AL-R-D6.0-0-0

      TO39 with reflector

      None

      -20 °C

      180 °C

      6.0 mm

      Open

      JSIR340-4-CB-0-S5.0-Air-A7

      SMD

      None

      -20 °C

      85 °C

      5.0 x 5.0 mm2

      Si ARC

       

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