基于C-MOSI的紅外輻射源，TO39封裝

描述

JSIR340-4型經(jīng)濟(jì)實(shí)惠的紅外輻射源專為NDIR氣體分析和其他紅外測量應(yīng)用而優(yōu)化，如直接紅外光譜法、衰減全反射光譜法或光聲光譜法?；贑MOS的紅外輻射源的膜片可達(dá)到高達(dá)800°C的溫度。它能夠?yàn)楣I(yè)應(yīng)用提供長期穩(wěn)定的輻射輸出，用于在環(huán)境溫度為-20至85°C之間控制和監(jiān)測過程氣體及相關(guān)氣體。帶有標(biāo)準(zhǔn)TO封裝和蓋子的包裝版本適合測量距離長達(dá)2厘米。

我們紅外輻射源中使用的MEMS芯片包含一個多層熱板膜片，內(nèi)含一個高溫穩(wěn)定的金屬CMOSI層。發(fā)射器芯片的有效面積為2.2 x 2.2平方毫米，基于硅襯底并采用背刻蝕膜技術(shù)。所有薄膜工藝均采用標(biāo)準(zhǔn)MEMS工藝和CMOS兼容材料完成?；钚訡-MOSI電阻層免受老化和環(huán)境影響。

應(yīng)用

lNDIR氣體檢測

l衰減全反射光譜法

l直接紅外光譜法

l光聲光譜法

目標(biāo)氣體

l二氧化碳、一氧化碳、一氧化二氮、氨氣、二氧化硫、六氟化硫以及成熟氣體如乙烯(C2H4)和乙炔(C2H2)

特點(diǎn)

l由于芯片膜片的低熱質(zhì)量，時間常數(shù)為11毫秒

l高膜片溫度高達(dá)770°C，有效芯片面積為2.2 x 2.2平方毫米

l長期穩(wěn)定的芯片結(jié)構(gòu)

l光譜帶寬從2到15微米

lCMOSI芯片技術(shù)

技術(shù)參數(shù)

1. 在額定功率下

2. 25°C - 770°C

3. 在通電狀態(tài)下

4. 帶有18Ω熱電阻

5. 環(huán)境溫度為25°C時

6. 連續(xù)模式下，平均排除故障時間（膜片破裂）為63%，計(jì)算值基于阿倫尼烏斯方程

7. 通過紅外相機(jī)測量（0.7 - 1.1微米），熱點(diǎn)溫度降低10%的平均溫度分布

8. 包括環(huán)境溫度

典型操作特性

電氣示意圖

電路

等效電路圖

機(jī)械制圖

底部

截面圖